薄膜開關的生長特性受沉積條件的影響，其中主要的因素有沉積速率,、基片溫度,、原子入射方向、基片表面狀態(tài)及真空度等,。
對于不同類型的金屬,，沉積速率的影響程度是不同的，這是由于真空沉積的金屬原子在基片上的遷移率與金屬的性質(zhì)和表面狀況有關,。即使是同一種金屬,，在不同的工藝條件下，沉積速率對薄膜結構的影響也不完全一致,。一般說來,，沉積速率會影響膜層中晶粒的大小與晶粒分布的均勻度以及缺陷等。,。
在低沉積速率的情況下,，金屬原子在基片上遷移的時間比較長，容易到達吸附點位置，或被處于其他吸附點位置上的小島所俘獲而形成粗大的晶粒,，使得薄膜的結構粗糙,，PET薄膜開關的薄膜不致密。,。
同時由于沉積原子到達基片后,，后續(xù)原子還沒有及時到達，因而暴露在外時間比較長,，容易受殘余氣體分子或沉積過程中引人的雜質(zhì)的污染,，以及產(chǎn)生各種缺陷等。,。
因此,，沉積速率高一些好.高沉積速率可以使薄膜晶粒細小，結構致密,，但由于同時凝結的核很多,，在能量上核處于能量比較高的狀態(tài)，所以薄膜開關存在著比較大的內(nèi)應力,，同時缺陷也較多,。