在島狀生長模式下,，到達基片上的原子首先凝聚成無數(shù)不連續(xù)的小核,，后續(xù)飛來的原子不斷集聚在核附近從而使核在三維方向不斷成長，最終形成連續(xù)的薄膜,。因此島狀生長模式又稱為核生長模式,。大部分薄膜的形成過程都屬于這種生長類型。這種生長模式的過程如圖5一7(a)所示,。島狀生長模式的生長過程可以分成如下幾個階段,。

1)成核階段

到達基片上的原子，其中的一部分與基片原子交換能量后,，仍具有相當大的能量,，可以返回氣相。而另一部分則被吸附在基片表面上.這種吸附主要是物理吸附,，原子將在基片表面停留一定的時間,。由于原子本身還具有一定的能量，同時還可以從基片得到熱能,，因此原子有可能在表面進行遷移或擴散,。在這一過程中，原子有可能再蒸發(fā),、也可能與基片發(fā)生化學作用而形成化學吸附,，還可能遇到其它的蒸發(fā)原子而形成原子對或原子團。

發(fā)生后兩種情況時,，原子再蒸發(fā)與遷移的可能性極小.從而逐漸成為穩(wěn)定的凝聚核,。

2)小島階段

當凝聚晶核達到一定的濃度以后，繼續(xù)蒸發(fā)就不再形成新的晶核,。新蒸發(fā)來的吸附原子通過表面遷移將聚集在已有晶核上,，使晶核生長并形成小島，這些小島通常是三維結構，并且多數(shù)已具有該種物質的晶體結構,，即已形成微晶粒,。

3)網(wǎng)絡階段

隨著小島的長大，相鄰的小島會互相接觸并彼此結合,，結合的過程類似兩小液滴結合成一個大液滴的情況,，這是由于小島在結合時釋放出一定的能量，這些能量足以使相接觸的微晶狀小島瞬時熔化,，在結合以后,，由于溫度下降所生成的島將重新結晶。隨著小島的不斷結合,，將形成一些具有迷津結構的網(wǎng)絡狀薄膜,。

4)連續(xù)薄膜

隨著蒸發(fā)或濺射的繼續(xù)進行，吸附原子將填充島與.島之間的間隔,，也有可能在島與島之間生成新的小島,，由小島的生長來填充空溝道，*形成連續(xù)薄膜,。

不同的物質經(jīng)歷這四個階段的情況是不同的,。例如鋁膜和銀膜都是島狀生長類型的，但是鋁膜只有在生長的最初階段呈現(xiàn)島狀結構,，然后在薄膜很薄時就能形成連續(xù)薄膜.而銀膜則要在薄膜較厚時才能形成連續(xù)薄膜,。圖5一8是Mos2基片上銀膜形成過程
示意圖，圖5一8中(a)是晶核階段,，(b)是小島階段，(c)是網(wǎng)絡階段,(d)是溝道逐漸被填充而形成連續(xù)薄膜,。