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內(nèi)應(yīng)力的測量方法-彎盤法

    彎盤法的基本原理與懸臂梁法相同,也是利用基片的形變測定內(nèi)應(yīng)力的,。所不同的是基片為圓形,,在沉積薄膜前后測量基片的曲率半徑Rl和R2,,然后根據(jù)下式計(jì)算出薄膜中的內(nèi)應(yīng)力,。

    為了保證測試系經(jīng)有較高的靈敏度,,需要選用合適的基片和檢測方法。現(xiàn)在常用的基片是玻璃,、石英,、單晶硅等,基片的表面要進(jìn)行光學(xué)拋光,。
    在沉積前后,,將基片放在石英板的光學(xué)平面上,,測M其曲率半徑,,其中最常用的是牛頓環(huán)法,圖7一8是其檢測原理圖。把試樣放在光學(xué)平面上后,,用垂直于表面的光照射,,這時(shí)在試樣表面和光學(xué)平面之間由于光的干涉而產(chǎn)生牛頓環(huán),測量牛頓環(huán)的間隔就可以測定基片的曲率半徑,,從而算出內(nèi)應(yīng)力,。