相對于體材料來講,，在制備薄膜材料時,，比較容易獲得非晶態(tài)結(jié)構(gòu),。這是因為薄膜制備方法可以比較容易地造成非晶態(tài)結(jié)構(gòu)的外界條件，即較高的過冷度和低的原子擴散能力,，這兩個條件也正是提高相變過程的過冷度,，抑制原子擴散，從而形成非晶態(tài)結(jié)構(gòu)的條件,?？梢酝ㄟ^降低基片溫度、引入反應(yīng)性氣體和摻雜方法實現(xiàn)上述條件,。例如,，對于硫化物和鹵化物薄膜在基片溫度低于77K時可形成無定形薄膜。有些氧化物薄膜,，基片溫度在室溫時都有形成無定形薄膜的趨向,。引入反應(yīng)性氣體的實例是在10ˉ2 Pa- 10ˉ3 Pa氧分壓中蒸發(fā)鋁、稼,、銦和錫等薄膜,，由于氧化層阻擋了晶粒生長而形成無定形薄膜。在83%ZrO2一17%SiO2和67%ZrO2一33%MgO的摻雜薄膜中,，由于兩種沉積原子尺寸的不同也可形成無定形薄膜。